GaN晶片的CMP加工工艺研究

孙 强; 吴 健; 李 伟

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期刊信息

中国标准连：ISSN1005-2895
续出版物号： CN 33-1180/TH
主管单位：轻工业杭州机电设计研究院有限公司
主办单位：轻工业杭州机电设计研究院有限公司、中国轻工机械协会、中国轻工业机械总公司
社　　长：刘安江
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地　　址：杭州市余杭区高教路970号西溪联合科技广场4-711
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孙强,吴健,李伟.GaN晶片的CMP加工工艺研究[J].轻工机械,2011,29(5):

GaN晶片的CMP加工工艺研究

Study of the CMP Technical Processing of GaN Chip

DOI：

中文关键词: 化学机械抛光 GaN晶片 Fenton反应

英文关键词:chemistry mechanical polishing(CMP) GaN chip fenton chemical reaction

基金项目:

孙强吴健李伟

浙江工业大学特种装备制造与先进加工技术教育部/浙江省重点实验室，浙江杭州310014

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中文摘要:

研究了GaN晶片的化学机械抛光(CMP)工艺，分析了在CMP加工工艺过程中对GaN晶片表面质量所产生的影响。实验采用质量分数30%的H2O2溶液与铁经过Fenton化学反应20 min后作为抛光液，并分别利用2种不同磨粒粒度W5和W0.5对晶片表面抛光，对不同工艺参数加工后的晶片表面进行测试分析，并推测加工过程中晶片表面可能发生的化学反应。

英文摘要:

The article has studied the chemistry mechanical polishing processing of GaN chip, analyzed the influence of CMP processing on the GaN chip surface quality. The experiment took the density 30% H2O2solution and the iron after Fenton chemical responded about 20 mins as the polishing solution, Uses two kinds of different abrasive granularity W5 and W0.5 polished separately to the chip surface, carried on the analysis test to the chip surface after different technological parameter processing, and extrapolated the chemical reaction which possibly occured in the CMP processing in the chip surface.

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